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一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410160463.8 |
| 申请日 | 2024/2/5 |
| 公告号 | CN117727782A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 侯合林; 谢志文; 张铭信; 陈铭胜; 文国昇; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明涉及激光二极管的技术领域，公开了一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法，所述高电子迁移率晶体管的外延结构包括衬底，依次在所述衬底上层叠设置的缓冲层、阻挡层、沟道层、AlN插入层、势垒层、帽层，所述阻挡层包含元素掺杂氮化物层、二维石墨烯层，所述元素掺杂氮化物层为交替层叠结构，所述元素掺杂氮化物层包含交替排布的Mg掺杂氮化物子层和C掺杂氮化物子层。实施本发明，可以减少位错密度，提升制备的外延薄膜的晶体质量，增强对沟道层电子的阻挡能力，减少缓冲层的漏电流，提高二维电子气的迁移率，抑制电流崩塌效应，提高器件耐击穿能力，提高器件的性能。
专利主权项内容
1.一种高电子迁移率晶体管的外延结构，其特征在于，包括衬底，依次在所述衬底上层叠设置的缓冲层、阻挡层、沟道层、AlN插入层、势垒层、帽层，所述阻挡层包含元素掺杂氮化物层、二维石墨烯层，所述元素掺杂氮化物层为交替层叠结构，所述元素掺杂氮化物层包含交替排布的Mg掺杂氮化物子层和C掺杂氮化物子层；所述Mg掺杂氮化物子层中Mg的掺杂浓度为1×10atmos/cm~1×10atmos/cm；所述Mg掺杂氮化物子层的厚度为100nm~250nm；163203所述C掺杂氮化物子层中C的掺杂浓度为1×10atmos/cm~1×10atmos/cm，所述C掺杂氮化物子层的厚度为150nm~350nm。163203 百度马 克 数据网