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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410251562.7 |
| 申请日 | 2024/3/6 |
| 公告号 | CN117832348A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 郑文杰; 程龙; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层包括依次层叠的O掺杂AlGaN层和Mg掺杂AlScN层，所述第二子层包括依次层叠的AlN层和Mg掺杂YGaN层，所述第三子层包括依次层叠的GaN层和Mg掺杂BGaN层。本发明的结构能够在提高空穴浓度及空穴注入效率的同时减少电子溢流效应，提高电子与空穴辐射复合效率，提升发光二极管的发光效率。。微信公众号
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层包括依次层叠的O掺杂AlGaN层和Mg掺杂AlScN层，所述第二子层包括依次层叠的AlN层和Mg掺杂YGaN层，所述第三子层包括依次层叠的GaN层和Mg掺杂BGaN层。