一种硅通孔型转接板的芯片封装结构的成形工艺

专利主权项内容

1.一种硅通孔型转接板的芯片封装结构的成形工艺，工艺过程如下，步骤一，通过晶圆级工艺制作硅通孔型转接板单体，所述硅通孔型转接板单体的正面设置微转接结构，所述微转接结构包括微金属柱和其顶端设置的临时焊料层；步骤二，采用bumping工艺，在载体晶圆的正面制作微金属凸块，所述微金属凸块与硅通孔型转接板单体的微转接结构一一对应；步骤三，硅通孔型转接板单体依次与载体晶圆倒装焊接并塑封，再减薄所述硅通孔型转接板单体的背面；步骤四，采用晶圆级扇出工艺在硅通孔型转接板单体上封装若干个芯片，所述芯片为单颗裸芯片或多颗裸芯片，或单组多层堆叠芯片组件，或若干组多层堆叠芯片组件，或裸芯片与多层堆叠芯片的组合；步骤五，进一步减薄载体晶圆侧，露出硅通孔型转接板单体的微金属柱顶端面；步骤六，所述硅通孔型转接板单体的微金属柱顶端面设置BGA焊球II；步骤七，划片成复数颗硅通孔型转接板的芯片封装结构单体。