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一种具有终端结构的半导体器件及其制造方法
申请人信息
- 申请人:赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司; 瑞士半导体科技有限公司
- 申请人地址:314100 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号
- 发明人: 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司; 瑞士半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有终端结构的半导体器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410060740.8 |
| 申请日 | 2024/1/16 |
| 公告号 | CN117577691A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司; 瑞士半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 宝拉·迪亚兹·雷戈萨; 尼克·吉尔·施耐德; 拉尔斯·诺尔·克里斯蒂安 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号; |
摘要文本
本发明提供一种具有终端结构的半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：第一主表面和第二主表面，第二主表面与第一主表面相对；第一导电类型的漂移区，第一导电类型的漂移区设于第一主表面和第二主表面之间；至少一个沟槽对，沟槽对由第一主表面延伸至第一导电类型的漂移区中；沟槽中填充或不填充导电材料；沟槽电连接或不电连接至接触金属；第二导电类型的高掺杂层，第二导电类型的高掺杂层设于一个沟槽对中间，第二导电类型的高掺杂层在蚀刻沟槽对之后进行扩散。在蚀刻沟槽对之后扩散第二导电类型的高掺杂注入层，在沟槽对的侧壁的引导下，可确保该层的垂直扩散得到更好的控制，防止掺杂离子沉积在沟槽底部下方。。马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种具有终端结构的半导体器件，其特征在于，包括：第一主表面和第二主表面，所述第二主表面与所述第一主表面相对；第一导电类型的漂移区，所述第一导电类型的漂移区设于所述第一主表面和所述第二主表面之间；至少一个沟槽对，所述沟槽对的沟槽由所述第一主表面延伸至所述第一导电类型的漂移区中；所述沟槽中填充或不填充导电材料；所述沟槽电连接或不电连接至接触金属；第二导电类型的高掺杂层，所述第二导电类型的高掺杂层设于一个沟槽对中间；所述第二导电类型的高掺杂层在蚀刻所述沟槽对之后进行扩散。。（来 自 ）