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太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件
申请人信息
- 申请人:浙江晶科能源有限公司
- 申请人地址:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
- 发明人: 浙江晶科能源有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410077219.5 |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117594669A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 浙江晶科能源有限公司 |
| 发明人 | 赵祥云; 张晓雯; 余丁; 柴嘉磊; 李文琪; 郑霈霆; 杨洁 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 |
摘要文本
本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面；隧穿层，位于第一表面；掺杂导电层，掺杂导电层内具有第一晶粒，位于隧穿层远离基底的表面；掺杂硅层，位于掺杂导电层远离基底的表面，掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离基底的方向上，掺杂硅层相对于掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；第一电极，位于掺杂硅层远离基底一侧，至少与掺杂硅层电接触。本申请实施例有利于提升太阳能电池的光电转化效率。
专利主权项内容
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有第一表面；隧穿层，位于所述第一表面；掺杂导电层，所述掺杂导电层内具有第一晶粒，位于所述隧穿层远离所述基底的表面；掺杂硅层，位于所述掺杂导电层远离所述基底的表面，所述掺杂硅层内具有第二晶粒，在沿背离所述基底的方向上，所述掺杂硅层相对于所述掺杂导电层的平均晶化率由90%减小至0%；第一电极，位于所述掺杂硅层远离所述基底一侧，至少与所述掺杂硅层电接触。