← 返回列表
太阳能电池及光伏组件
申请人信息
- 申请人:浙江晶科能源有限公司
- 申请人地址:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
- 发明人: 浙江晶科能源有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳能电池及光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410178344.5 |
| 申请日 | 2024/2/8 |
| 公告号 | CN117727809A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 浙江晶科能源有限公司 |
| 发明人 | 李慧敏; 徐孟雷; 杨洁; 张昕宇 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 |
摘要文本
本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对设置的正面以及背面；具有N型掺杂离子的第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层位于正面或者背面；第一掺杂多晶硅层的表面具有第一凸起结构；具有P型掺杂离子的第二掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层位于背面，且第一掺杂多晶硅层与第二掺杂多晶硅层相绝缘；第二掺杂多晶硅层的表面具有第二凸起结构，第一凸起结构的厚度大于第二凸起结构的厚度；包含第一凸起结构的第一掺杂多晶硅层的厚度小于或等于包含第二凸起结构的第二掺杂多晶硅层的厚度。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件至少可以提升太阳能电池的光电转换效率。 马 克 团 队
专利主权项内容
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对设置的正面以及背面；第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层内具有N型掺杂离子，所述第一掺杂多晶硅层位于所述正面或者所述背面；所述第一掺杂多晶硅层的表面具有第一凸起结构；第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层内掺杂有P型掺杂离子，所述第二掺杂多晶硅层位于所述背面，且所述第一掺杂多晶硅层与所述第二掺杂多晶硅层相绝缘；所述第二掺杂多晶硅层的表面具有第二凸起结构，所述第一凸起结构的厚度大于所述第二凸起结构的厚度；包含所述第一凸起结构的所述第一掺杂多晶硅层的厚度小于或等于包含所述第二凸起结构的所述第二掺杂多晶硅层的厚度；第一电极以及第二电极，所述第一电极与所述第一掺杂多晶硅层电接触，所述第二电极与所述第二掺杂多晶硅层电接触。