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太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件

申请号: CN202410233595.9
申请人: 浙江晶科能源有限公司
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
专利类型 发明申请
申请号 CN202410233595.9
申请日 2024/2/29
公告号 CN117810310A
公开日 2024/4/2
IPC主分类号 H01L31/18
权利人 浙江晶科能源有限公司
发明人 李慧敏; 徐孟雷; 杨洁; 张昕宇
地址 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

摘要文本

本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件,太阳能电池制备包括:提供基底,所述基底的表面上具有第一掺杂层,所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区;在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上,形成保护层;对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理,并刻蚀所述保护层,形成第一刻蚀掩模,所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区;基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行刻蚀处理,将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面;去除所述第一刻蚀掩模。至少有利于降低太阳能电池的制备成本和难度。

专利主权项内容

1.一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底的表面上具有第一掺杂层,所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区;在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上,形成保护层;对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理,并刻蚀所述保护层,形成第一刻蚀掩模,所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区;基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行刻蚀处理,将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面;去除所述第一刻蚀掩模。