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太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
申请人信息
- 申请人:浙江晶科能源有限公司
- 申请人地址:314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号
- 发明人: 浙江晶科能源有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410233595.9 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810310A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 浙江晶科能源有限公司 |
| 发明人 | 李慧敏; 徐孟雷; 杨洁; 张昕宇 |
| 地址 | 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号 |
摘要文本
本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件,太阳能电池制备包括:提供基底,所述基底的表面上具有第一掺杂层,所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区;在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上,形成保护层;对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理,并刻蚀所述保护层,形成第一刻蚀掩模,所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区;基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行刻蚀处理,将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面;去除所述第一刻蚀掩模。至少有利于降低太阳能电池的制备成本和难度。
专利主权项内容
1.一种太阳能电池制备方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底的表面上具有第一掺杂层,所述第一掺杂层包括沿第一方向交替排布的金属化区和非金属化区;在所述第一掺杂层远离所述基底的表面上,形成保护层;对所述保护层与所述金属化区正对的部分进行改性处理,并刻蚀所述保护层,形成第一刻蚀掩模,所述第一刻蚀掩模正对所述金属化区;基于所述第一刻蚀掩模对所述第一掺杂层进行刻蚀处理,将所述非金属化区远离所述基底的表面转换为凹凸表面;去除所述第一刻蚀掩模。