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一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法

申请号: CN202410232074.1
申请人: 浙江大学杭州国际科创中心
更新日期: 2026-03-20

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410232074.1
申请日 2024/3/1
公告号 CN117798814A
公开日 2024/4/2
IPC主分类号 B24B37/26
权利人 浙江大学杭州国际科创中心
发明人 王万堂; 王蓉; 皮孝东; 杨德仁
地址 浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼

摘要文本

本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种抛光垫、抛光垫的制备方法及抛光方法。抛光垫包括光催化区域、硬性去除区域、软性去除区域。抛光垫在使用过程中,抛光液添加在光催化区域中心位置,通过紫外光照射光使得光催化固体发生催化反应,激发产生的?OH团基和O2?作用在外围硬性去除区域与软性去除区域正在研磨的晶圆表面,快速去除晶圆的表面厚度,硬性去除区域环绕着光催化区域分布,在抛光过程中,晶圆会循环经过硬性去除区域、软性去除区域,降低晶圆表面的不平整度,并搭配光催化区域,实现晶圆抛光良率的提高。同时,在硬性去除区域引入了导流槽设计,使得抛光过程中、产生的硬性去除固体的碎屑及时从抛光盘表面流出,避免对其他区域的影响。

专利主权项内容

1.一种抛光垫,其特征在于,包括:抛光垫本体,所述抛光垫本体表面具有光催化区域、硬性去除区域和软性去除区域;所述光催化区域位于所述抛光垫中心,所述光催化区域的表面具有光催化固体;所述硬性去除区域与所述软性去除区域围绕所述光催化区域间隔分布,所述硬性去除区域为多个扇形结构,所述硬性去除区域的表面具有导流槽和硬性去除固体,所述导流槽的宽度大于所述硬性去除固体的粒径。