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真空甲酸炉

申请号: CN202420748732.8
申请人: 深圳市卓兴半导体科技有限公司
申请日期: 2024/4/11

专利详细信息

项目 内容
专利名称 真空甲酸炉
专利类型 实用新型
申请号 CN202420748732.8
申请日 2024/4/11
公告号 CN222113774U
公开日 2024/12/6
IPC主分类号 B23K1/008
权利人 深圳市卓兴半导体科技有限公司
发明人 邓应铖; 唐小亮; 吴勇
地址 广东省深圳市宝安区福海街道展城社区福园二路西丰成工业园厂房三栋501

摘要文本

本实用新型公开一种真空甲酸炉,包括机架,设有炉腔,炉腔具有进料口和出料口以及腔盖;加热结构,安装于炉腔,并具有多个加热区,多个加热区自进料口处朝向出料口处排列设置,加热区用以将物料上的锡膏加热至熔化,以使熔化后的锡膏将物料连接;真空还原结构,包括真空结构和还原结构;真空结构安装于机架,并对应加热结构设置,且具有真空腔,真空腔用以使熔化后的锡膏处于真空状态;还原组件,安装于机架,并对应加热结构设置,用以将还原气体供入真空腔,还原气体用以使处于真空状态的物料还原。本实用新型技术方案能够解决锡膏在焊接的过程中空洞率较高以及产品原材料的氧化问题,提升产品品质。

专利主权项内容

1.一种真空甲酸炉,用以对带有锡膏的物料加工,其特征在于,所述真空甲酸炉包括:
机架,设有炉腔,所述炉腔具有进料口和出料口以及腔盖;
加热结构,安装于所述炉腔,并具有多个加热区,多个所述加热区自所述进料口处朝向所述出料口处排列设置,所述加热区用以将所述物料上的锡膏加热至熔化,以使熔化后的锡膏将所述物料连接;
真空还原结构,包括真空结构和还原结构;所述真空结构安装于所述机架,并对应所述加热结构设置,且具有真空腔,所述真空腔用以使熔化后的锡膏处于真空状态;还原组件安装于所述机架,并对应所述加热结构设置,用以将还原气体供入所述真空腔,所述还原气体用以使处于真空状态的所述物料还原;
冷却结构,安装于所述炉腔,并具有多个冷却区,多个所述冷却区自所述出料口处朝向所述加热结构处排列设置,所述冷却区用以将所述物料冷却;以及
搬运结构,安装于所述机架,用以搬运所述物料,使所述物料于所述进料口处逐步经所述加热结构、所述真空还原结构、所述冷却结构移动至所述出料口处。