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一种半导体用清洗腐蚀件及系统

申请号: CN202420863090.6
申请人: 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
申请日期: 2024/4/24

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种半导体用清洗腐蚀件及系统
专利类型 实用新型
申请号 CN202420863090.6
申请日 2024/4/24
公告号 CN222106627U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 广州南砂晶圆半导体技术有限公司
发明人 刘青; 张木青
地址 广东省广州市南沙区万顷沙镇正翔路8号

摘要文本

本申请提供一种半导体用清洗腐蚀件及系统,半导体用清洗腐蚀件包括侧壁弧形挡板以及底面圆盘;侧壁弧形挡板设在底面圆盘的外沿;底面圆盘上开设有多个供溶液通过的通孔;在底面圆盘用于与晶圆接触的一面上设置有多个凸起;多个凸起设置在通孔之间,凸起顶部为圆弧形结构。本申请提供半导体用清洗腐蚀件的底面圆盘设有凸起,凸起顶部圆弧形设计,防止划伤晶片或晶体,提高晶片或晶体与溶液的有效接触面积,减小溶液对晶片或晶体的水冲压;避免只设置通孔的平面设计在清洗过程中会在水冲压下带动晶片浮起,使腐蚀面无法接触溶液或接触不均匀的情况。同时此设计的溶液流动性强,减少装置提出液面时的溶液残留问题带来的二次腐蚀导致的不均匀问题。

专利主权项内容

1.一种半导体用清洗腐蚀件,用于单片晶圆的清洗,其特征在于,所述半导体用清洗腐蚀件包括侧壁弧形挡板(11)以及底面圆盘(12);所述侧壁弧形挡板(11)设在底面圆盘(12)的外沿;所述底面圆盘(12)上开设有多个供溶液通过的通孔;
在所述底面圆盘(12)用于与晶圆接触的一面上设置有多个凸起(13);多个所述凸起(13)设置在所述通孔之间,所述凸起(13)顶部为圆弧形结构。