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一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构
申请人信息
- 申请人:成都冈秦层拜电子科技有限公司
- 申请人地址:610000 四川省成都市锦江区一环路东五段108号1栋1单元5层519号
- 发明人: 成都冈秦层拜电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420459519.5 |
| 申请日 | 2024/3/11 |
| 公告号 | CN222106672U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L23/10 |
| 权利人 | 成都方标精密机械制造有限公司 |
| 发明人 | 刘汉达 |
| 地址 |
摘要文本
本实用新型涉及芯片封装结构技术领域，且公开了一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构，包括芯片封装主体、凸台支撑块、边沿安装框、封装盖板、适配槽口和安装片，所述凸台支撑块设置于芯片封装主体的顶部，所述边沿安装框设置于芯片封装主体顶部的边沿处。该实用新型，通过设有边沿安装框，使边沿安装框配合封装盖板安装于模块顶部，使芯片封装主体内部腔体的空间相对较大，凸台支撑块对封装盖板起到辅助支撑效果，防变形防凹凸能力较好，使装置达到在瞬时高压环境中，可避免盖板凹陷对芯片产生损伤，保证产品正常运行。
专利主权项内容
1.一种瞬时抗高气压的大腔体芯片壳体结构，其特征在于：包括芯片封装主体(1)、凸台支撑块(2)、边沿安装框(3)、封装盖板(4)、适配槽口(5)和安装片(6)；
所述凸台支撑块(2)设置于芯片封装主体(1)的顶部，所述边沿安装框(3)设置于芯片封装主体(1)顶部的边沿处，所述封装盖板(4)设置于边沿安装框(3)的顶部；
所述凸台支撑块(2)的顶部与封装盖板(4)的底部接触，所述适配槽口(5)设置于边沿安装框(3)内侧的顶部，所述适配槽口(5)与封装盖板(4)卡合匹配，所述安装片(6)设置于芯片封装主体(1)的两侧。