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密封环结构
申请人信息
- 申请人:厦门市三安集成电路有限公司
- 申请人地址:361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
- 发明人: 厦门市三安集成电路有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 密封环结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323592242.8 |
| 申请日 | 2023/12/27 |
| 公告号 | CN222106675U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L23/31 |
| 权利人 | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 发明人 | 廖志明; 魏鸿基; 何湘阳; 郭佳衢; 何先良 |
| 地址 | 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号 |
摘要文本
本实用新型公开了一种密封环结构，包括外延层、第一环形金属层和第二环形金属层，外延层包括环形台阶及其周围的基础区域，第一环形金属层设于环形台阶的顶部，第二环形金属层设于基础区域上，第一环形金属层与第二环形金属层间隔设置并环绕于半导体器件的芯片区域外周，第一环形金属层与第二环形金属层上分别设有第一开口区域和第二开口区域，第一开口区域和第二开口区域交错设置，结合环形台阶的设置可以降低水汽或外界污染侵入芯片的概率，提高芯片的可靠性。第一环形金属层和第二环形金属层均包括接触金属层和互联金属层，接触金属层与外延层接触，通过退火使两者形成牢固接触，可进一步提高芯片的可靠性。
专利主权项内容
1.一种密封环结构，其特征在于：包括环绕于半导体器件的芯片区域外周的外延层、第一环形金属层和第二环形金属层，所述外延层包括环形台阶及其周围的基础区域，所述第一环形金属层设于所述环形台阶的顶部，所述第二环形金属层设于所述基础区域上，所述第一环形金属层与第二环形金属层间隔设置，所述第一环形金属层与第二环形金属层上分别设有一个或多个第一开口区域和一个或多个第二开口区域，所述第一开口区域和第二开口区域交错设置。。百度马 克 数据网