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芯片封装结构
申请人信息
- 申请人:深圳深爱半导体股份有限公司
- 申请人地址:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
- 发明人: 深圳深爱半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 芯片封装结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420550925.2 |
| 申请日 | 2024/3/21 |
| 公告号 | CN222106684U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L23/367 |
| 权利人 | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 杨英英; 魏国栋; 陶双福; 潘国豪 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号 |
摘要文本
本实用新型涉及一种芯片封装结构。芯片封装结构包括：引线框架，包括多个引脚和相互绝缘间隔布置的第一基岛和第二基岛；主控芯片，主控芯片承载并电性连接于第一基岛；功率开关管和续流二极管，功率开关管和续流二极管承载并电性连接于第二基岛，功率开关管的漏极与第二基岛电连接，续流二极管的P极朝向第二基岛并与第二基岛电连接，续流二极管的N极与其中一个引脚电连接；以及塑封层；塑封层上对应第二基岛的位置设有缺口，第二基岛相对于第一基岛朝向缺口的方向凸出设置，以使第二基岛的至少部分表面通过缺口露出。本实用新型的芯片封装结构散热性较佳，性能和稳定性较好。 该数据由<>整理
专利主权项内容
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：
引线框架，包括多个引脚和相互绝缘间隔布置的第一基岛和第二基岛；
主控芯片，所述主控芯片承载并电性连接于所述第一基岛；
功率开关管和续流二极管，所述功率开关管和所述续流二极管承载并电性连接于所述第二基岛，所述功率开关管的漏极与所述第二基岛电连接，所述续流二极管的P极朝向所述第二基岛并与所述第二基岛电连接，所述续流二极管的N极与其中一个所述引脚电连接；以及
塑封层，所述塑封层覆盖于所述第一基岛、所述第二基岛、所述主控芯片、所述功率开关管以及所述续流二极管的外侧；
其中，所述塑封层上对应所述第二基岛的位置设有缺口，所述第二基岛相对于所述第一基岛朝向所述缺口的方向凸出设置，以使所述第二基岛的至少部分表面通过所述缺口露出。