← 返回列表
集成半导体结构
申请人信息
- 申请人:深圳深爱半导体股份有限公司
- 申请人地址:518116 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号
- 发明人: 深圳深爱半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 集成半导体结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420383862.6 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN222106697U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L23/495 |
| 权利人 | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 魏国栋; 周大伟 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号 |
摘要文本
本申请涉及集成半导体结构，一种集成半导体结构包括：框架，用于与外部电源电连接，多个间隔排布的半导体器件，每个半导体器件均包括栅极、源极和漏极，每个半导体器件的源极均与框架电连接，多个间隔排布的第一引脚，多个第一引脚与多个半导体器件一一对应地设置，每个第一引脚均与对应半导体器件的栅极电连接，多个间隔排布的第二引脚，多个第二引脚与多个半导体器件一一对应地设置，每个第二引脚均与对应半导体器件的漏极电连接，封装件，封装件封装框架、半导体器件、第一引脚以及第二引脚。综上所述，上述集成半导体结构，可以采用较低的成本将多个半导体器件封装在一起，有利于在较小尺寸电路板上进行布置。
专利主权项内容
1.一种集成半导体结构，其特征在于，所述集成半导体结构包括：
框架(100)，用于与外部电源电连接；
多个间隔排布的半导体器件(200)，每个所述半导体器件(200)均包括栅极(210)、源极(220)和漏极，每个所述半导体器件(200)的所述源极(220)均与所述框架(100)电连接；
多个间隔排布的第一引脚(300)，多个所述第一引脚(300)与多个所述半导体器件(200)一一对应地设置，每个所述第一引脚(300)均与对应所述半导体器件(200)的所述栅极(210)电连接；
多个间隔排布的第二引脚(400)，多个所述第二引脚(400)与多个所述半导体器件(200)一一对应地设置，每个所述第二引脚(400)均与对应所述半导体器件(200)的所述漏极电连接；
封装件，所述封装件封装所述框架(100)、所述半导体器件(200)、所述第一引脚(300)以及所述第二引脚(400)。