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一种功率半导体模块衬底

申请号: CN202420351171.8
申请人: 臻驱科技(上海)有限公司
申请日期: 2024/2/26

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种功率半导体模块衬底
专利类型 实用新型
申请号 CN202420351171.8
申请日 2024/2/26
公告号 CN222106701U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 H01L23/538
权利人 臻驱科技(上海)股份有限公司
发明人 夏雨昕; 王明阳
地址 上海市浦东新区(上海)自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层

摘要文本

本实用新型提供了一种功率半导体模块衬底,包括陶瓷基板,陶瓷基板设有第一功率金属敷层、第二功率金属敷层及第三功率金属敷层;第一主金属敷层上布置有上桥臂芯片组,第二主金属敷层上布置有下桥臂芯片组;陶瓷基板在中部设有若干信号金属敷层,若干信号金属敷层上分别布置有信号端子,使多个信号端子沿陶瓷基板的中线方向排列;上桥臂芯片组的上表面覆盖若干连接第二功率金属敷层的金属绑定线,下桥臂芯片组的上表面覆盖若干连接至第三功率金属敷层的金属绑定线;上桥臂芯片组、下桥臂芯片组分别通过金属绑定线连接至相邻的信号金属敷层。

专利主权项内容

1.一种功率半导体模块衬底,其特征在于,
包括陶瓷基板,所述陶瓷基板设有第一功率金属敷层、第二功率金属敷层及第三功率金属敷层;
所述第一主金属敷层上布置有上桥臂芯片组,所述第二主金属敷层上布置有下桥臂芯片组;
所述陶瓷基板在中部设有若干信号金属敷层,所述若干信号金属敷层上分别布置有信号端子,使所述多个信号端子沿所述陶瓷基板的中线方向排列;
所述上桥臂芯片组的上表面覆盖若干连接至所述第二功率金属敷层的金属绑定线,所述下桥臂芯片组的上表面覆盖若干连接至所述第三功率金属敷层的金属绑定线;
所述上桥臂芯片组、所述下桥臂芯片组分别通过金属绑定线连接至相邻的所述信号金属敷层。