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半导体装置
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420433313.5 |
| 申请日 | 2024/3/6 |
| 公告号 | CN222106715U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L27/088 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 董雨陇; 王小东; 廖忠志 |
| 地址 | 中国台湾新竹 |
摘要文本
本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一反相器及第二反相器。第一反相器包括第一p型晶体管及第一n型晶体管。第一p型晶体管包括多个第一纳米结构，且多个第一纳米结构具有第一宽度。第一n型晶体管包括多个第二纳米结构，多个第二纳米结构具有第二宽度，且第二宽度不同于第一宽度。第二反相器包括第二p型晶体管及第二n型晶体管。第二p型晶体管包括多个第三纳米结构，多个第三纳米结构具有第三宽度，且第三宽度不同于第一宽度。第二n型晶体管包括多个第四纳米结构，多个第四纳米结构具有第四宽度，且第四宽度不同于第三宽度及第二宽度。 百度搜索
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
一第一反相器(inverter)，包括：
一第一p型晶体管，包括多个第一纳米结构，且该些第一纳米结构具有一第一宽度；及
一第一n型晶体管，包括多个第二纳米结构，该些第二纳米结构具有一第二宽度，且该第二宽度不同于该第一宽度；以及
一第二反相器，包括：
一第二p型晶体管，包括多个第三纳米结构，该些第三纳米结构具有一第三宽度，且该第三宽度不同于该第一宽度；及
一第二n型晶体管，包括多个第四纳米结构，该些第四纳米结构具有一第四宽度，且该第四宽度不同于该第三宽度及该第二宽度。 更多数据：