← 返回列表
半导体装置结构
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420063290.3 |
| 申请日 | 2024/1/10 |
| 公告号 | CN222106716U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L27/092 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 沙哈吉·B·摩尔; 张正伟 |
| 地址 | 中国台湾新竹 |
摘要文本
本实用新型提供一种半导体装置结构。包括第一源极/漏极外延特征，设置于基板上方的NMOS区域中；第二源极/漏极外延特征设置于PMOS区域中；第一介电特征位于第一与第二源极/漏极特征间；第二介电特征相邻位于第一与第二介电特征间的第一源极/漏极特征；第三介电特征相邻位于第一与第三介电特征间的第二源极/漏极特征；层间介电层设置于第一、第二与第三介电特征上和第一及第二源极/漏极特征的第一部分上；第一金属层设置于层间介电层中及第一源极/漏极特征的第二部分上且延伸至第二介电特征中；第二金属层设置于层间介电层中及第二源极/漏极特征的第二部分上且延伸至第三介电特征中。
专利主权项内容
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
一第一源极/漏极外延特征，设置于一基板上方的一N型装置区域中；
一第二源极/漏极外延特征，设置于一P型装置区域中；
一第一介电特征，设置于上述第一源极/漏极外延特征与上述第二源极/漏极外延特征之间；
一第二介电特征，设置为相邻于上述第一源极/漏极外延特征，其中上述第一源极/漏极外延特征设置于上述第一介电特征与上述第二介电特征之间；
一第三介电特征，设置为相邻于上述第二源极/漏极外延特征，其中上述第二源极/漏极外延特征设置于上述第一介电特征与上述第三介电特征之间；
一层间介电层，设置于上述第一介电特征、上述第二介电特征与上述第三介电特征上方，还有上述第一源极/漏极外延特征的一第一部分上方，以及上述第二源极/漏极外延特征的一第一部分上方；
一第一金属层，设置于上述层间介电层中以及上述第一源极/漏极外延特征的一第二部分上方，其中上述第一金属层延伸至上述第二介电特征之中；以及
一第二金属层，设置于上述层间介电层中以及上述第二源极/漏极外延特征的一第二部分上方，其中上述第二金属层延伸至上述第三介电特征之中。