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半导体装置以及影像感测器装置
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体装置以及影像感测器装置 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420642363.4 |
| 申请日 | 2024/3/29 |
| 公告号 | CN222106718U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 张櫂玹; 练秀芸; 洪铭; 林东毅; 张纯; 张朝钦; 李昇展; 陈昇照 |
| 地址 | 中国台湾新竹 |
摘要文本
来自 一种半导体装置以及影像感测器装置，半导体装置包含多个介电质层以及深沟槽电容器结构，深沟槽电容器结构可包括在介于相对的多个导电性电极层之间具有绝缘体层的金属‑绝缘体‑金属结构。深沟槽电容器结构可延伸穿过在半导体装置中的多个介电质层。导电性电极层和绝缘体层可侧向地延伸到介电质层内。导电性电极层和绝缘体层向介电质层内的侧向延伸可被称作为电容器结构的鳍片部分。鳍片部分可从深沟槽电容器结构的中心部分(例如，沟槽部分)侧向地向外延伸。深沟槽电容器结构的鳍片部分使得导电性电极层的表面面积能够增加，这可增加深沟槽电容器结构的电容，而对于深沟槽电容器结构的整体占据区的增加为最小。
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
多个介电质层，在一第一方向排列并在与该第一方向近似垂直的一第二方向延伸；以及
一深沟槽电容器结构，延伸穿过所述多个介电质层，
其中该深沟槽电容器结构包含：
一中心部分，在该第一方向延伸穿过所述多个介电质层；和
多个鳍片部分，在该第二方向从该中心部分侧向地向外延伸。