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一种应用于BCD工艺的VDMOS结构
申请人信息
- 申请人:陕西电子芯业时代科技有限公司
- 申请人地址:710000 陕西省西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园A座17层1713室
- 发明人: 陕西电子芯业时代科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种应用于BCD工艺的VDMOS结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323614121.9 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN222106721U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L29/10 |
| 权利人 | 陕西电子芯业时代科技有限公司 |
| 发明人 | 刘建军; 李家贵; 王逸豪 |
| 地址 | 陕西省西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园A座17层1713室 |
摘要文本
本实用新型提供一种应用于BCD工艺的VDMOS结构，包括：缓冲层，所述缓冲层的表面设置有上引出层，所述上引出层的表面设置有外延层，所述外延层的表面设置有P body，所述P body表面的中心位置设置有第一多晶栅；所述P body的表面且位于所述第一多晶栅的左右两侧分别设置有NSD和PSD，所述上引出层的一侧分别设置有第二多晶栅、第一源极、第二源极、介质和漏极。本实用新型提供的一种应用于BCD工艺的VDMOS结构，通过场板的设置可抑制在上引出层与P body之间区域的曲面结，增大器件的耐压，加之对于该区域的距离控制，可使器件在有限的面积内，获得更大的耐压，更好的导通电流，更低的导通电阻，及更灵活的应用。
专利主权项内容
1.一种应用于BCD工艺的VDMOS结构，其特征在于，包括：
缓冲层，所述缓冲层的表面设置有上引出层，所述上引出层的表面设置有外延层，所述外延层的表面设置有P body，所述P body表面的中心位置设置有第一多晶栅；
所述P body的表面且位于所述第一多晶栅的左右两侧分别设置有NSD和PSD，所述上引出层的一侧分别设置有第二多晶栅、第一源极、第二源极、介质和漏极。