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一种高电子迁移率晶体管
申请人信息
- 申请人:安建科技有限公司
- 申请人地址:中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室
- 发明人: 安建科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高电子迁移率晶体管 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420862505.8 |
| 申请日 | 2024/4/24 |
| 公告号 | CN222106722U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 安建科技有限公司 |
| 发明人 | 伍震威; 梁嘉进; 单建安 |
| 地址 | 中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室 |
摘要文本
。一种高电子迁移率晶体管，本实用新型涉及于半导体器件，为提高器件的可靠性，本实用新型通过在漏极金属层和源极金属层之间设置可形成有水平方向的电流通路的高电阻材料层，该电流通路位于势垒层上方且在水平方向形成线性电势差且电耦合到下方的半导体中，在器件工作时减低势垒层表面电场尖峰，使电场分布更为均匀，避免高能粒子陷落导致的动态电阻增大、电流崩塌，可改善器件的可靠性，并且有利于提升器件的击穿电压。
专利主权项内容
1.一种高电子迁移率晶体管，所述的晶体管包括有位于底部的衬底层，
位于衬底层上方的缓冲层；
位于缓冲层之上的沟道层；
位于沟道层之上的势垒层；
位于势垒层上方的第一源极金属层、第一导电型氮化镓层、第一介质层和第一漏极金属层，所述的第一导电型氮化镓层上方设有栅极金属层；
位于第一源极金属层上方的第二源极金属层以及第二源极金属层上方的第三源极金属层；
位于第一漏极金属层上方的第二漏极金属层以及第二漏极金属层上方的第三漏极金属层；
位于栅极金属层、第一源极金属层和第一漏极金属层上方的第二介质层；
位于第二介质层、第二源极金属层和第二漏极金属层上方的第三介质层；
以及位于顶部的第四介质层；
其特征在于，在漏极金属层和源极金属层之间还至少设有一个高电阻材料层，所述的高电阻材料层一端与第二源极金属层相连，另一端与第一漏极金属层、第二漏极金属层或第三漏极金属层相连，所述的高电阻材料层在漏极金属层和源极金属层之间形成有水平方向的电流通路，所述的沟道层表面具有水平方向二维电子气，所述的电流通路位于二维电子气上方且在水平方向形成线性电势差且电耦合到下方的半导体中。