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半导体结构
申请人信息
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址:中国台湾新竹市
- 发明人: 台湾积体电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420356502.7 |
| 申请日 | 2024/2/26 |
| 公告号 | CN222106723U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 张尚文; 庄正吉; 蔡庆威; 邱奕勋; 黄禹轩 |
| 地址 | 中国台湾新竹 |
摘要文本
本实用新型提供一种半导体结构，包含第一垂直晶体管，其包含第一垂直半导体棒以及第一栅极介电质及第一栅极电极，环绕第一垂直半导体棒。第一垂直晶体管还包含第一源极/漏极区，位于第一垂直半导体棒的顶表面上方，以及第二源极/漏极区，接触第一垂直半导体棒的底表面。半导体结构还包含第一前侧电源线，位于第一垂直晶体管上方，以及第一后侧电源线，电性地连接至第一前侧电源线。第一后侧电源线位于第一垂直半导体棒下方，且第一后侧电源线连接至第二源极/漏极区。。百度搜索
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一第一垂直晶体管，包括：
一第一垂直半导体棒；
一第一栅极介电质及一第一栅极电极，环绕该第一垂直半导体棒；
一第一源极/漏极区，位于该第一垂直半导体棒的一顶表面上方；以及
一第二源极/漏极区，接触该第一垂直半导体棒的一底表面；
一第一前侧电源线，位于该第一垂直晶体管上方；以及
一第一后侧电源线，电性地连接至该第一前侧电源线，其中该第一后侧电源线位于该第一垂直半导体棒下方，且其中该第一后侧电源线连接至该第二源极/漏极区。 数据由整理