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半导体元件
申请人信息
- 申请人:福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址:362261 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 发明人: 福建省晋华集成电路有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体元件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420425983.2 |
| 申请日 | 2024/3/5 |
| 公告号 | CN222106724U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 发明人 | 黄健宾; 陈笋弘; 林毓纯; 黄鑫; 吴家伟 |
| 地址 | 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号 |
摘要文本
本实用新型公开了一种半导体元件。半导体元件包括源极结构、栅极导电层、凹槽、栅极介质层、沟道层、绝缘层以及漏极结构。栅极导电层设置于源极结构上，其中栅极导电层由下而上依序包括第一导体层、阻障层以及第二导体层。凹槽贯穿设置于栅极导电层中。栅极介质层设置于栅极导电层朝向凹槽的侧面。沟道层设置于凹槽中，其中沟道层设置于栅极介质层远离栅极导电层的侧面以及凹槽的底部。绝缘层设置于凹槽中，漏极结构设置于绝缘层上，其中沟道层围绕绝缘层及部分漏极结构，且沟道层的端部及绝缘层的端部分别与漏极结构直接接触。
专利主权项内容
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：
源极结构；
栅极导电层，设置于所述源极结构上，其中所述栅极导电层由下而上依序包括第一导体层、阻障层以及第二导体层；
凹槽，贯穿设置于所述栅极导电层中；
栅极介质层，设置于所述栅极导电层朝向所述凹槽的侧面；
沟道层，设置于所述凹槽中，其中所述沟道层设置于所述栅极介质层远离所述栅极导电层的侧面以及所述凹槽的底部；
绝缘层，设置于所述凹槽中；以及
漏极结构，设置于所述绝缘层上；
其中所述沟道层围绕所述绝缘层及部分所述漏极结构，且所述沟道层的端部及所述绝缘层的端部分别与所述漏极结构直接接触。