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一种链型半导体器件
申请人信息
- 申请人:安建科技有限公司
- 申请人地址:中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室
- 发明人: 安建科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种链型半导体器件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420532327.2 |
| 申请日 | 2024/3/19 |
| 公告号 | CN222106725U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 安建科技有限公司 |
| 发明人 | 梁嘉进; 管浩; 伍震威; 单建安 |
| 地址 | 中国香港沙田科学园科技大道西16号16W大楼9楼912-913室 |
摘要文本
一种链型半导体器件，本实用新型涉及于功率半导体器件，为解决目前蔽栅沟槽型场效应管器件结构长条状接触孔与栅电极的距离的不一致导致阈值电压的一致性，本发明通过增设第三类沟槽，并将的第一类沟槽、第二类沟槽和第三类沟槽组成链型沟槽结构，使得第三类沟槽上的第二接触孔远离栅电极避免现有器件结构中的可能出现的误接触情况。
专利主权项内容
1.一种链型半导体器件，所述的器件包括有设于器件底部的第一导电型衬底层，设于第一导电型衬底层上方的外延层，位于器件顶部的绝缘氧化层以及设于绝缘氧化层上方的源极金属，器件上部均匀分布有第一类沟槽、设于所述的第一类沟槽之间的第二导电型掺杂体区和设于第二导电型掺杂体区上方的第一导电型重掺杂源区，所述的第二导电型掺杂体区和第一导电型重掺杂源区通过绝缘氧化层上的第一接触孔连接到器件上表面的源极金属，所述的第一类沟槽内设有位于沟槽中间位置的屏蔽栅电极和位于沟槽上方环所述屏蔽栅电极的栅电极；其特征在于，每一个所述的第一类沟槽至少通过一设有栅电极的第二类沟槽连接到相邻的另一个第一类沟槽，该第二类沟槽的栅电极和该第一类沟槽中的栅电极相连；且
每一个所述的第一类沟槽还通过一设有屏蔽栅电极的第三类沟槽连接至相邻的再一个第一类沟槽，该第二类沟槽中的屏蔽栅电极和该第三类沟槽的屏蔽栅电极相连并通过设于第三类沟槽上的第二接触孔连接到源极金属，所述的第二接触孔远离所述的栅电极；
所述的第一类沟槽、第二类沟槽和第三类沟槽组成链型沟槽结构，栅极信号通过链型沟槽中的栅电极传导。 搜索