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半导体结构
申请人信息
- 申请人:福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址:362261 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
- 发明人: 福建省晋华集成电路有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420853225.0 |
| 申请日 | 2024/4/23 |
| 公告号 | CN222106726U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 发明人 | 张鼎; 卢燕端; 游晶晶; 刘韦廷 |
| 地址 | 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号 |
摘要文本
本申请提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构随着尺寸的缩小而无法保证半导体结构的性能的技术问题，该半导体结构包括衬底、源极层、漏极层、沟道层、栅极结构、栅极介电层和介质层，源极层和漏极层堆叠设置于衬底上；沟道层位于源极层和漏极层之间；栅极结构位于沟道层侧壁上；栅极介电层位于栅极结构和沟道层之间；部分介质层设置于源极层与栅极结构之间；其中，源极层具有多个朝向衬底一侧延伸的凹陷，沟道层部分填入凹陷，并与源极层电性连接。本申请用于缩减半导体结构的尺寸，并提高半导体结构的性能。
专利主权项内容
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
源极层和漏极层，堆叠设置于所述衬底上；
沟道层，位于所述源极层和所述漏极层之间；
栅极结构，位于沟道层侧壁上；
栅极介电层，位于所述栅极结构和所述沟道层之间；
介质层，部分所述介质层设置于所述源极层与所述栅极结构之间；
其中，所述源极层具有多个朝向所述衬底一侧延伸的凹陷，所述沟道层部分填入所述凹陷，并与所述源极层电性连接。