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具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构及TOPCon电池
申请人信息
- 申请人:江苏林洋太阳能有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省南通市开发区广州路42号552室
- 发明人: 江苏林洋太阳能有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构及TOPCon电池 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323454943.5 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN222106728U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 江苏林洋太阳能有限公司 |
| 发明人 | 沈东东; 肖赞; 肖陈; 黄沈虎; 李彦潼; 叶欢 |
| 地址 | 江苏省南通市开发区广州路42号552室 |
摘要文本
本实用新型公开了一种具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构及TOPCon电池，通过调整隧穿氧化硅层在不同区域的厚度，具体是调整非金属接触区域与金属接触区域对应的隧穿氧化硅层的厚度，不仅降低了金属接触区域的金属复合以及接触电阻率，而且还能明显抑制非金属接触区域的表面复合，尤其是在非金属接触区域沉积另一层隧穿氧化硅层，并控制它们的厚度关系处于一定范围时，此种结构在抑制表面复合方面获得了出乎意料的降低程度，该结构还可抑制俄歇复合的发生，还明显提升了表面化学钝化效果，从而在整体上改善了体系的不利因素，应用于电池后可调控影响电池效率的关键因素，大大地提高电池效率。
专利主权项内容
1.一种具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构，其特征在于，该钝化接触结构包括：
硅基体，该硅基体包括背表面，所述背表面由金属接触区域和非金属接触区域构成；
第一隧穿氧化硅层，其设置在所述背表面上，所述第一隧穿氧化硅层的厚度小于等于2.0nm；
第二隧穿氧化硅层，其设置在所述第一隧穿氧化硅层上的对应所述非金属接触区域的部分；
所述第二隧穿氧化硅层的厚度小于等于1.3nm，所述第一隧穿氧化硅层的厚度与所述第二隧穿氧化硅层的厚度之和不大于2.4nm且不小于1.4nm；
磷掺杂多晶硅层，其设置在所述背表面上，且在所述金属接触区域，所述第一隧穿氧化硅层、所述磷掺杂多晶硅层依次层叠设置；在所述非金属接触区域，所述第一隧穿氧化硅层、所述第二隧穿氧化硅层和所述磷掺杂多晶硅层依次层叠设置。