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HIT太阳能电池及电池组件
申请人信息
- 申请人:江西沐邦高科股份有限公司; 广西沐邦高科新能源有限公司
- 申请人地址:330513 江西省南昌市安义县工业园区东阳大道18号
- 发明人: 江西沐邦高科股份有限公司; 广西沐邦高科新能源有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | HIT太阳能电池及电池组件 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323462987.2 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN222106729U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L31/0216 |
| 权利人 | 江西沐邦高科股份有限公司; 广西沐邦高科新能源有限公司 |
| 发明人 | 唐果; 廖志远; 喻强; 刘晓萌; 梁成宝 |
| 地址 | 江西省南昌市安义县工业园区东阳大道18号; 广西壮族自治区梧州市万秀区粤桂合作特别试验区起步区F-01-08(01)号2栋D040室 |
摘要文本
本实用新型涉及太阳能电池技术领域，公开了一种HIT太阳能电池及电池组件，包括：硅基底，所述硅基底具有沿其厚度方向相对设置的两侧面，所述两侧面在所述厚度方向上均沿所述硅基底朝外依次设有a‑Si : H层、TCO膜层及钝化层，各所述钝化层在所述厚度方向上背离所述硅基底的一侧还凸设有金属电极。本实用新型能够改善电池结构与组件胶膜的粘接力、改善电极栅线连接，同时利用钝化层，与TCO膜层和非晶硅层构成三层渐变折射层，有效的减少电池发电过程中的光学损失。 该数据由<>整理
专利主权项内容
1.一种HIT太阳能电池，其特征在于，包括：硅基底，所述硅基底具有沿其厚度方向相对设置的两侧面，所述两侧面在所述厚度方向上均沿所述硅基底朝外依次设有a-Si : H层、TCO膜层及钝化层，各所述钝化层在所述厚度方向上背离所述硅基底的一侧还凸设有金属电极。。来自：