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发光二极管
申请人信息
- 申请人:京东方华灿光电(浙江)有限公司
- 申请人地址:322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号
- 发明人: 京东方华灿光电(浙江)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420614340.2 |
| 申请日 | 2024/3/27 |
| 公告号 | CN222106753U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01L33/20 |
| 权利人 | 京东方华灿光电(浙江)有限公司 |
| 发明人 | 芮哲; 吴俊磊; 夏群; 田宇航; 魏柏林; 田艳红; 尹灵峰 |
| 地址 | 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号 |
摘要文本
本公开提供了一种发光二极管，属于发光器件领域。该发光二极管包括：第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、绝缘层、第一电极和第二电极；所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层依次层叠，所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层形成台阶结构，所述透明导电层层叠在所述第二半导体层；所述第一电极位于所述第一半导体层表面，所述第二电极位于所述透明导电层表面；所述第一电极与所述第二电极之间的所述透明导电层具有多个间隔分布的条状凹槽，所述条状凹槽贯穿所述绝缘层与所述第二半导体层连通，所述绝缘层填充所述条状凹槽。
专利主权项内容
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：
第一半导体层(101)、有源层(102)、第二半导体层(103)、透明导电层(104)、绝缘层(108)、第一电极(109)和第二电极(110)；
所述第一半导体层(101)、所述有源层(102)、所述第二半导体层(103)依次层叠，所述第一半导体层(101)、所述有源层(102)和所述第二半导体层(103)形成台阶结构，所述透明导电层(104)层叠在所述第二半导体层(103)；所述第一电极(109)位于所述第一半导体层(101)表面，所述第二电极(110)位于所述透明导电层(104)表面；
所述透明导电层(104)具有多个间隔分布的条状凹槽(10)，多个所述条状凹槽(10)在所述第一半导体层(101)上的投影，位于所述第一电极(109)在所述第一半导体层(101)上的投影和所述第二电极(110)在所述第一半导体层(101)上的投影之间；
多个所述条状凹槽(10)贯穿所述透明导电层(104)与所述第二半导体层(103)连通，所述绝缘层(108)填充多个所述条状凹槽(10)。