← 返回列表

一种半导体激光器封装元件

申请号: CN202323511436.0
申请人: 安徽格恩半导体有限公司
申请日期: 2023/12/22

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种半导体激光器封装元件
专利类型 实用新型
申请号 CN202323511436.0
申请日 2023/12/22
公告号 CN222107270U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 H01S5/024
权利人 安徽格恩半导体有限公司
发明人 郑锦坚; 张江勇; 陈婉君; 胡志勇; 刘紫涵; 蓝家彬; 李水清; 王星河
地址 安徽省六安市金安区巢湖路288号

摘要文本

本实用新型公开了一种半导体激光器封装元件包括:管座,设置在管座下方的管脚,以及安装在管座上的管舌;管舌上安装热沉和激光器芯片;激光器芯片与热沉之间具有第一连接层;热沉与管舌之间具有第二连接层;第一连接层的导热系数大于等于热沉的导热系数;第二连接层的导热系数大于等于管座的导热系数;第二连接层的导热系数大于等于第一连接层的导热系数;第二连接层的导热系数大于等于管舌的导热系数,从而优化激光器封装元件的热阻分布和导热系数分布,提升激光器封装元件的散热均匀性和散热效率,提升激光器泵浦能级到激光能级的耦合率,提升热膨胀和热应变分布均匀性,降低热应力和热退化,降低老化过程中的电压上升幅度。

专利主权项内容

1.一种半导体激光器封装元件,其特征在于,包括:管座,设置在所述管座下方的管脚,以及安装在所述管座上的管舌;所述管舌上安装热沉和激光器芯片;所述激光器芯片与所述热沉之间具有第一连接层;所述热沉与管舌之间具有第二连接层;所述第一连接层的导热系数大于等于热沉的导热系数;所述第二连接层的导热系数大于等于管座的导热系数;
所述第二连接层的导热系数大于等于第一连接层的导热系数;所述第二连接层的导热系数大于等于管舌的导热系数。 来自