← 返回列表
一种半导体激光器封装装置
申请人信息
- 申请人:安徽格恩半导体有限公司
- 申请人地址:237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号
- 发明人: 安徽格恩半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体激光器封装装置 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202323511439.4 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN222107271U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | H01S5/024 |
| 权利人 | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 发明人 | 郑锦坚; 李晓琴; 张钰; 张会康; 胡志勇; 李水清; 张江勇; 王星河 |
| 地址 | 安徽省六安市金安区巢湖路288号 |
摘要文本
本实用新型公开了一种半导体激光器封装装置，包括：管座，设置在管座下方的管脚，以及安装在管座上的管舌；管舌上安装热沉和激光器芯片；激光器芯片与热沉之间具有第一连接层；热沉与管舌之间具有第二连接层；热沉的热阻微积分曲线的谷值≤激光器芯片的热阻微积分曲线的谷值≤管座的热阻微积分曲线的谷值；热沉与管舌之间具有第二连接层；热沉的热阻微积分曲线的谷值≤第一连接层的热阻微积分曲线的谷值≤第二连接层的热阻微积分曲线的谷值，从而构建管座、管舌、热沉、激光器芯片、第一连接层、第二连接层的界面热阻分布均匀性，增加界面的热阻变化趋势，提升界面散热速度。
专利主权项内容
1.一种半导体激光器封装装置，其特征在于，包括：管座，设置在所述管座下方的管脚，以及安装在所述管座上的管舌；所述管舌上安装热沉和激光器芯片；所述激光器芯片与所述热沉之间具有第一连接层；所述热沉与管舌之间具有第二连接层；所述热沉的热阻微积分曲线的谷值≤激光器芯片的热阻微积分曲线的谷值≤管座的热阻微积分曲线的谷值；所述热沉的热阻微积分曲线的谷值≤第一连接层的热阻微积分曲线的谷值≤第二连接层的热阻微积分曲线的谷值。