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一种开关电源变换器的保护电路及控制芯片

申请号: CN202420701300.1
申请人: 苏州源特半导体科技有限公司
申请日期: 2024/4/8

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种开关电源变换器的保护电路及控制芯片
专利类型 实用新型
申请号 CN202420701300.1
申请日 2024/4/8
公告号 CN222107582U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 H02H7/12
权利人 苏州源特半导体科技有限公司
发明人 唐盛斌
地址 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢524

摘要文本

本实用新型提供一种开关电源变换器的保护电路及控制芯片,包括运算放大器、第一电流源、MOS管、过温比较器、过压比较器和PWM脉冲生成器;运算放大器的反相输入端、过温比较器的反相输入端和过压比较器的反相输入端相互连接并作为保护电路的过温/过压控制端;运算放大器、过温比较器依次连接后连接PWM脉冲生成器的一个输入端;运算放大器、过压比较器依次连接后连接PWM脉冲生成器的另一个个输入端,PWM脉冲生成器的输出端作为保护电路的输出端。本实用新型过温保护和过压保护两个功能通过一个引脚复用的方式实现,彼此互不影响。浅度过压保护和深度过压保护采用双延时触发,既能有效保护同时也提高了抗干扰能力的。

专利主权项内容

1.一种开关电源变换器的保护电路,其特征在于,包括运算放大器、第一电流源、N型沟道MOS管、过温比较器、过压比较器和PWM脉冲生成器;运算放大器的反相输入端、过温比较器的反相输入端和过压比较器的反相输入端相互连接并作为保护电路的过温/过压控制端;运算放大器的同相输入端输入第三基准电压,输出端连接N型沟道MOS管的栅极;N型沟道MOS管的漏极连接第一电流源,源极连接运算放大器的反相输入端;过温比较器第一同相输入端连接第一基准电压,第二同相输入端连接第二基准电压;过压比较器的同相输入端接入其他基准电压;过温比较器的输出端和过压比较器的输出端分别连接PWM脉冲生成器的两个输入端,PWM脉冲生成器的输出端作为保护电路的输出端。