← 返回列表

全桥开关及电子设备

申请号: CN202323287047.4
申请人: 京东方华灿光电(浙江)有限公司
申请日期: 2023/12/4

专利详细信息

项目 内容
专利名称 全桥开关及电子设备
专利类型 实用新型
申请号 CN202323287047.4
申请日 2023/12/4
公告号 CN222107785U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 H02M3/335
权利人 京东方华灿光电(浙江)有限公司
发明人 高国昌; 王江波; 吴志浩; 李鸿万; 邱绍谚; 袁家祥; 白金生
地址 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

摘要文本

提供了一种全桥开关及电子设备,属于开关技术领域。该全桥开关包括:第一HEMT、第二HEMT、第三HEMT、第四HEMT、第一MOSFET、第二MOSFET和变压器;第一HEMT、第二HEMT位于左半桥,第三HEMT、第四HEMT位于右半桥,第一HEMT、第三HEMT位于上半桥,第二HEMT、第四HEMT位于下半桥。第一MOSFET、第二MOSFET分别位于左半桥和右半桥,且第一MOSFET、第二MOSFET同时位于上半桥或下半桥。 马-克-数据

专利主权项内容

1.一种全桥开关,其特征在于,所述全桥开关包括:第一HEMT(101)、第二HEMT(102)、第三HEMT(103)、第四HEMT(104)、第一MOSFET(105)、第二MOSFET(106)和变压器(107);
所述第一HEMT(101)的第一端与电压提供端VBUS连接,所述第一HEMT(101)的控制端与第一PWM信号提供端连接;所述第二HEMT(102)的第一端与所述变压器(107)的第一输入端连接,所述第二HEMT(102)的控制端与第二PWM信号提供端连接;所述第三HEMT(103)的第一端与所述电压提供端VBUS连接,所述第三HEMT(103)的控制端与第三PWM信号提供端连接;所述第四HEMT(104)的第一端与所述变压器(107)的第二输入端连接,所述第四HEMT(104)的控制端与第四PWM信号提供端连接;所述第一MOSFET(105)的控制端与第一EN信号提供端连接;所述第二MOSFET(106)的控制端与第二EN信号提供端连接;
所述第一HEMT(101)的第二端与所述第二HEMT(102)的第一端连接;所述第二HEMT(102)的第二端与所述第一MOSFET(105)的第一端连接;所述第三HEMT(103)的第二端与所述第四HEMT(104)的第一端连接;所述第四HEMT(104)的第二端与所述第二MOSFET(106)的第一端连接;所述第一MOSFET(105)的第二端接地;所述第二MOSFET(106)的第二端接地;或者,所述第一HEMT(101)的第二端与所述第一MOSFET(105)的第一端连接;所述第二HEMT(102)的第二端接地;所述第三HEMT(103)的第二端与所述第二MOSFET(106)的第一端连接;所述第四HEMT(104)的第二端接地;所述第一MOSFET(105)的第二端与所述第二HEMT(102)的第一端连接;所述第二MOSFET(106)的第二端与所述第四HEMT(104)的第一端连接。