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一种新型的近红外垂直光敏有机场效应管

申请号: CN202420503765.6
申请人: 中国计量大学
更新日期: 2026-03-26

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种新型的近红外垂直光敏有机场效应管
专利类型 实用新型
申请号 CN202420503765.6
申请日 2024/3/15
公告号 CN222108441U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 H10K30/65
权利人 中国计量大学
发明人 张琪岳; 彭应全
地址 浙江省杭州市下沙高教园区学源街258号

摘要文本

本实用新型公开了一种新型的近红外垂直光敏有机场效应管,所述近红外垂直光敏有机场效应管自下而上依次包括衬底Si、底栅介质SiO2、由C60层和SnPc层组成的有机光敏层、顶栅介质PVA、源极Al、绝缘层LiF、有机沟道层C60、漏极Au。本实用新型在垂直结构光敏有机场效应管栅介质SiO2的上侧增加了由C60层和SnPc层组成的有机光敏层,与原有栅极形成复合栅极,其中C60厚度为10‑15nm,SnPc厚度为20‑25nm。本实用新型的优点在于:近红外光照射时,有机光敏层产生光生载流子,在电场的作用下,载流子分布在有机光敏层两侧,产生光电压,与外加栅极电压串联,使场效应呈现叠加效果,增强对源漏电流的调控作用。

专利主权项内容

1.一种新型的近红外垂直光敏有机场效应管,所述新型的近红外垂直光敏有机场效应管自下而上依次包括衬底Si、底栅介质SiO2、由C60层和SnPc层组成的有机光敏层、顶栅介质PVA、源极Al、绝缘层LiF、有机沟道层C60、漏极Au,其特征在于,所述新型的近红外垂直光敏有机场效应管在垂直结构光敏有机场效应管栅介质SiO2的上侧增加了由C60层和SnPc层组成的有机光敏层,与原有栅极形成复合栅极,所述有机光敏层C60的厚度为10‑15nm,所述有机光敏层SnPc的厚度为20‑25nm,所述由C60层和SnPc层组成的有机光敏层的总厚度为30nm‑40nm。