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一种适用于烤薯专用型甘薯的大垄密植覆膜滴灌栽培模式

申请号: CN202420395928.3
申请人: 大连锦田特种粮有限公司; 袁梦
更新日期: 2026-03-26

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种适用于烤薯专用型甘薯的大垄密植覆膜滴灌栽培模式
专利类型 实用新型
申请号 CN202420395928.3
申请日 2024/3/1
公告号 CN222108792U
公开日 2024/12/6
IPC主分类号 A01G22/25
权利人 大连锦田特种粮有限公司; 袁梦
发明人 谢辉; 姜爱丽; 熊思国; 刘文玲; 冷晓婷; 谢晓萍
地址 辽宁省大连市普兰店区丰荣街道长山寺村; 山东省济南市市中区玉函路71号

摘要文本

本实用一种适用于烤薯专用型甘薯的大垄密植覆膜滴灌栽培模式,包括多个单垄,每个所述单垄包括种植区,每个所述单垄的横截面呈梯形,每个所述单垄横截面的高度为180‑200mm,每个所述单垄横截面的顶边的宽度为200‑240mm,每个所述单垄横截面的底边的宽度为360‑400mm;在每个所述单垄上沿远离的顶面上表面的方向依次设置有滴灌系统和地膜。在该栽培模式下,平均亩产可高达2382kg,使甘薯具有高产、稳产等优势,且大薯率低,中薯率高,薯型可控,趋于细长,食用方便,利于焙烤加工,提高了该品种甘薯的经济价值。且该栽培模式操作简单,适合农业化推广。

专利主权项内容

1.一种适用于烤薯专用型甘薯的大垄密植覆膜滴灌栽培模式,其特征在于,包括多个单垄(1),每个所述单垄(1)包括种植区,每个所述单垄(1)的横截面呈梯形,每个所述单垄(1)横截面的高度为180-200mm,每个所述单垄(1)横截面的顶边的宽度为200-240mm,每个所述单垄(1)横截面的底边的宽度为360-400mm;
在每个所述单垄(1)上沿远离的上表面的方向依次设置有滴灌系统和地膜(4)。。