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雾化基质存储结构及雾化装置

申请号: CN202420659436.0
申请人: 爱奇迹创造有限公司
更新日期: 2026-03-26

专利详细信息

项目 内容
专利名称 雾化基质存储结构及雾化装置
专利类型 实用新型
申请号 CN202420659436.0
申请日 2024/4/1
公告号 CN222109303U
公开日 2024/12/6
IPC主分类号 A24F40/42
权利人 爱奇迹创造有限公司
发明人 张志良; 段立武; 付尧; 郑志坚; 沈礼周
地址 中国香港九龙红磡都会道10号都会大厦2306室

摘要文本

本申请公开了雾化基质存储结构及雾化装置。该雾化装置包括壳体、承接件、储液容器、雾化组件及雾化基质存储结构。壳体包括具有抽吸通道的吸嘴、及与抽吸通道连通的安装腔;雾化基质存储结构的储液件和阻隔件设置于安装腔中,储液件设有与抽吸通道连通的安装通道;雾化组件安装于安装通道中,并且储液件吸附的雾化基质传输至雾化组件;承接件封闭安装腔的开口端,并设有补液通道,补液通道的出口与储液件的吸液端面和吸液侧面同时导通设置;储液容器的出液口与补液通道的进口相对接。储液容器的雾化基质可以经过该吸液端面和吸液侧面进入储液件中,使得雾化基质可以有更多的扩散方向,进而提高了雾化基质的补充速率,避免了对后续使用的不利影响。

专利主权项内容

1.雾化基质存储结构,其特征在于,包括:储液件(11)、以及阻隔件(12);
所述储液件(11)包括吸液端面(111)、以及吸液侧面(112);
所述阻隔件(12)抵设在所述储液件(11)的一侧;所述阻隔件(12)与所述吸液端面(111)相邻的表面设有缺口(121);
所述储液件(11)相对所述缺口(121)外露的侧面形成所述吸液侧面(112)。