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一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法
申请人信息
- 申请人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 申请人地址:315201 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
- 发明人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种场效应晶体管式磁传感器、其制备方法与使用方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201711456098.1 |
| 申请日 | 2017年12月28日 |
| 公告号 | CN108054273B |
| 公开日 | 2024年3月8日 |
| IPC主分类号 | H10N35/80 |
| 权利人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 发明人 | 巫远招; 刘宜伟; 李润伟 |
| 地址 | 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 |
摘要文本
本发明提供了一种场效应晶体管式磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由基底层与位于该基底层表面的半导体层组成，并且基底层与半导体层之间电绝缘，基底层具有磁致伸缩效应，半导体层具有压电效应；工作状态时，外界磁场作用于基底层时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测。该磁传感器结构简单，并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用，能够实现高灵敏度的磁场探测。
专利主权项内容
1.一种场效应晶体管式磁传感器，其特征是：包括半导体基底，以及与半导体基底相电连接的源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由基底层与位于该基底层表面的半导体层组成，并且基底层与半导体层之间电绝缘，基底层具有磁致伸缩效应，半导体层具有压电效应；工作状态时，外界磁场作用于基底层，场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测；所述的基底层材料是FeGa、TeDyFe、铁硅硼FeSiB、CoFeSi中的一种或者两种以上的复合材料。