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一种磁传感器、其制备方法与使用方法

申请号: CN201711457027.3
申请人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
更新日期: 2026-03-08

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种磁传感器、其制备方法与使用方法
专利类型 发明授权
申请号 CN201711457027.3
申请日 2017年12月28日
公告号 CN108039406B
公开日 2024年3月8日
IPC主分类号 H10N35/00
权利人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
发明人 巫远招; 刘宜伟; 李润伟
地址 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号

摘要文本

本发明提供了一种磁传感器,具有场效应晶体管结构,包括半导体衬底、源极、漏极与栅极;其中,半导体衬底具有压电效应,半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体;工作状态时,外界磁场作用于磁体,场效应晶体管的电信号发生改变,通过测试该电信号的变化实现该外界磁场的探测。该磁传感器结构简单易行,结合了场效应晶体管的信号放大作用,实现了高灵敏度的磁场探测,在磁传感器技术领域中具有良好的应用前景。 (来 自 专利查询网)

专利主权项内容

1.一种磁传感器的制备方法,其特征是:具有场效应晶体管结构,包括半导体衬底,以及与半导体衬底相电连接的源极、漏极与栅极;其中,半导体衬底具有压电效应,半导体衬底上设置具有磁致伸缩性能的磁体;工作状态时,外界磁场作用于磁体,场效应晶体管的电信号发生改变,通过测试该电信号实现该外界磁场的探测;所述的磁传感器还包括基座,该基座与所述的半导体衬底构成悬臂梁结构,即,半导体衬底的一端固定在基座上,该端称为固定端,另一端为自由端;磁体设置在半导体衬底自由端的端部;源极、漏极与栅极设置在靠近半导体衬底固定端的位置;首先在衬底上采用磁控溅射的方法生长半导体材料,然后在半导体材料表面光刻基座以及半导体衬底的图案,再刻蚀除去基座图案以及半导体衬底图案以外的半导体材料,以及除去半导体衬底图案下方的衬底部分,使半导体衬底一端固定在基座上呈悬浮状;在半导体衬底上通过微加工工艺制备源极;在半导体衬底上通过微加工工艺制备漏极;在半导体衬底上通过微加工工艺制备栅极;在半导体衬底上采用磁控溅射方法沉积磁体材料,或者将磁体材料制成可涂敷材料涂敷在半导体衬底上。 关注公众号马 克 数 据 网