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MEMS气敏传感器基底层结构

申请号: CN202420559504.6
申请人: 苏州中芯微纳传感科技有限公司
更新日期: 2026-03-28

专利详细信息

项目 内容
专利名称 MEMS气敏传感器基底层结构
专利类型 实用新型
申请号 CN202420559504.6
申请日 2024/3/21
公告号 CN222105433U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 G01N33/00
权利人 苏州中芯微纳传感科技有限公司
发明人 李中
地址 江苏省苏州市太仓市城厢镇弇山西路136号9号楼B204

摘要文本

苏州中芯微纳传感科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开一种MEMS气敏传感器基底层结构,其包括硅基底层,所述硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层和微加热层,所述微加热层的上表面设置有保护材料层,所述保护材料层上表面的两端均设置有微电极,两个微电极之间电性连接有气敏材料层,所述硅基底层的底部中段设置有通槽,所述通槽贯穿硅基底层,所述通槽呈梯形状,且其上端的宽度小,所述硅基底层底部的两端均设置有第三绝缘材料层。该MEMS气敏传感器基底层结构,通过在硅基底层上方依次层叠有第一绝缘材料层、第二绝缘材料层等结构,且其厚度均是微米甚至纳米量级,具有体积小、节约材料等优点。

专利主权项内容

1.一种MEMS气敏传感器基底层结构,其特征在于:包括硅基底层(1),所述硅基底层(1)上方依次层叠有第一绝缘材料层(4)、第二绝缘材料层(5)和微加热层(6),所述微加热层(6)的上表面设置有保护材料层(7),所述保护材料层(7)上表面的两端均设置有微电极(3),两个微电极(3)之间电性连接有气敏材料层(2)。