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含有三维存储阵列的处理器
申请人信息
- 申请人:杭州海存信息技术有限公司
- 申请人地址:310051 浙江省杭州市5288信箱
- 发明人: 杭州海存信息技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 含有三维存储阵列的处理器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202011420165.6 |
| 申请日 | 2017年4月13日 |
| 公告号 | CN112328535B |
| 公开日 | 2024年3月5日 |
| IPC主分类号 | G06F15/78 |
| 权利人 | 杭州海存信息技术有限公司 |
| 发明人 | 张国飙 |
| 地址 | 浙江省杭州市5288信箱 |
摘要文本
本发明提出一种含有三维存储(3D‑M)阵列的三维处理器。三维处理器含有多个计算单元，每个计算单元都含有一个算术逻辑电路(ALC)和多个3D‑M阵列。在相邻周边电路之间留有间隙G，以形成布线通道，供不同ALC组件之间、或不同ALC之间实现通讯。 来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种三维处理器(100)，其特征在于含有：一半导体衬底(0)；至少一位于该半导体衬底(0)上的计算单元(110-i)，所述计算单元(110-i)含有一个包括第一ALC组件(180a)和第二ALC组件(180b)的算术逻辑电路ALC (180)、以及多个包括第一组(150a)和第二组(150b)的三维存储3D-M阵列(170a、170w…)，所述第一组(150a)包括至少第一3D-M阵列(170a…)，所述第二组(150b)包括至少第二3D-M阵列(170w…)，其中：所述第一和第二ALC组件(180a、180b) 位于该半导体衬底(0)中；所述第一组和第二组(150a、150b)分别堆叠在所述第一和第二ALC组件(180a、180b)上方；所述3D-M阵列(170a、170w…)与所述ALC (180)通过多个接触通道孔(1av, 3av)实现电耦合；一布线通道(186)，所述布线通道(186)为所述第一和第二ALC组件(180a、180b)之间实现电耦合。