功率半导体器件及其制造方法

专利主权项内容

1.一种功率半导体器件的制造方法，包括：在第一掺杂类型的半导体衬底中形成多个沟槽；在所述多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体，在所述屏蔽导体的顶部形成第一开口，所述屏蔽导体与所述半导体衬底之间由所述绝缘叠层彼此隔离；在所述多个沟槽的上部蚀刻所述第一绝缘层以形成位于所述屏蔽导体两侧的第二开口，所述第二开口暴露所述多个沟槽上部的侧壁；在所述第一开口和所述第二开口中形成隔离层，所述隔离层分别位于所述屏蔽导体和所述第一绝缘层上方；在所述多个沟槽上部的侧壁上形成栅极电介质；形成栅极导体以填充所述第二开口，所述栅极导体的一部分从所述第二开口向所述半导体衬底表面上方横向延伸形成布线层，所述布线层与所述屏蔽导体之间由所述隔离层彼此隔离，所述布线层与所述半导体衬底之间由所述栅极电介质彼此隔离，所述栅极导体的侧壁与所述屏蔽导体之间由所述第二绝缘层彼此隔离；在所述半导体衬底邻接沟槽的区域中形成第二掺杂类型的体区，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；在所述体区中形成所述第一掺杂类型的源区；以及形成源极电极和栅极电极，所述源极电极与所述源区和所述屏蔽导体电连接，所述栅极电极与所述栅极导体电连接，其中，所述布线层横向延伸使得所述栅极电极的接触孔远离所述源极电极的接触孔，在形成源区的步骤中，所述布线层作为硬掩模使得所述布线层下方的所述半导体衬底中未形成源区。 （更多数据，详见马克数据网）