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一种MEMS传感器
申请人信息
- 申请人:美新半导体(绍兴)有限公司; 美新半导体(天津)有限公司
- 申请人地址:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号1幢3楼305室
- 发明人: 美新半导体(绍兴)有限公司; 美新半导体(天津)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种MEMS传感器 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 申请号 | CN202420614025.X |
| 申请日 | 2024/3/27 |
| 公告号 | CN222099556U |
| 公开日 | 2024/12/3 |
| IPC主分类号 | B81B7/00 |
| 权利人 | 美新半导体(绍兴)有限公司; 美新半导体(天津)有限公司 |
| 发明人 | 苏云鹏; 姜萍; 金羊华; 储莉玲 |
| 地址 | 浙江省绍兴市越城区皋埠街道银桥路326号1幢3楼305室; 天津市自贸试验区(空港经济区)西三道158号金融中心4-501室 |
摘要文本
美新半导体(绍兴)有限公司; 美新半导体(天津)有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型提供一种MEMS传感器，其包括：衬底层；MEMS层，其位于所述衬底层的一侧表面，所述MEMS层中形成有MEMS传感器结构；盖帽层，其位于所述MEMS层远离所述衬底层的一侧表面；盖帽阻挡块，其位于所述盖帽层邻近所述MEMS层的一侧表面，所述盖帽阻挡块与所述MEMS传感器结构中的可活动部件相互间隔，以对所述可活动部件的运动进行限位。与现有技术相比，本实用新型在盖帽层设置阻挡块，以替代氧化物阻挡块，从而在限制MEMS层中的可活动部件位移的同时避免产生静电力。
专利主权项内容
1.一种MEMS传感器，其特征在于，其包括：
衬底层；
MEMS层，其位于所述衬底层的一侧表面，所述MEMS层中形成有MEMS传感器结构；
盖帽层，其位于所述MEMS层远离所述衬底层的一侧表面；
盖帽阻挡块，其位于所述盖帽层邻近所述MEMS层的一侧表面，所述盖帽阻挡块与所述MEMS传感器结构中的可活动部件相互间隔，以对所述可活动部件的运动进行限位。。 （来源 马克数据网）