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一种功率模块的封装结构

申请号: CN201710192425.0
申请人: 杨杰
更新日期: 2026-03-08

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种功率模块的封装结构
专利类型 发明授权
申请号 CN201710192425.0
申请日 2017年3月28日
公告号 CN106997871B
公开日 2024年1月16日
IPC主分类号 H01L23/31
权利人 杨杰
发明人 杨杰
地址 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号东北大学信息学院127信箱

摘要文本

本发明公开一种功率模块的封装结构。该封装结构包括下层金属直接敷接陶瓷电路板,被封装功率器件芯片,上层金属直接敷接陶瓷电路板,上盖板和绝缘外壳;被封装功率器件芯片的下表面电极通过焊料固定于下层陶瓷电路板;上层陶瓷电路板倒置于所述被封装功率器件芯片上,通过其金属层上凸起触点与所述被封装功率器件芯片的上表面电极接触;上盖板通过压簧对上层陶瓷电路板施加向下压力保证凸起触点与电极的紧密接触。本发明公开的功率模块封装结构避免了传统功率模块封装中的引线键合,提高了电流承载能力,结构简单紧凑易于实现,对功率器件兼容性好,改善了功率模块的散热,有助于提高功率模块的可靠性。 数据由马 克 团 队整理

专利主权项内容

1.一种功率模块的封装结构,其特征在于:该封装结构包括下层金属直接敷接陶瓷电路板,被封装功率器件芯片,上层金属直接敷接陶瓷电路板,上盖板和绝缘外壳;所述下层金属直接敷接陶瓷电路板和所述上层金属直接敷接陶瓷电路板由陶瓷基板和附着于陶瓷基板的金属层构成;所述上层金属直接敷接陶瓷基板通过刻蚀工艺在其金属层上加工出所述功率器件芯片上表面电极之间连接的电路布线;所述下层金属直接敷接陶瓷电路板放置于所述绝缘外壳底部内伸的托架上;所述被封装功率器件芯片的下表面电极通过焊料固定于所述下层金属直接敷接陶瓷电路板的金属层;所述上层金属直接敷接陶瓷电路板附着有一层具有通孔结构的绝缘膜,通孔位置与所述被封装功率器件芯片上表面电极位置对齐,通孔尺寸略小于电极尺寸;所述上层金属直接敷接陶瓷电路板通过电镀或金属沉积方式在金属层上生成凸起触点结构;所述凸起触点结构穿过所述绝缘膜的通孔,其高度略高于所述绝缘膜的厚度,尺寸与所述通孔尺寸一致;所述凸起触点结构通过打磨调整触点高度并提高触点平整度;所述上层金属直接敷接陶瓷电路板倒置于所述被封装功率器件芯片上,通过其金属层上凸起触点与所述被封装功率器件芯片的上表面电极接触;所述上盖板置于所述上层金属直接敷接陶瓷电路板之上,通过多枚安装螺栓固定于所述绝缘外壳上表面;所述上盖板下表面焊接有多个压簧,对所述上层金属直接敷接陶瓷电路板施加向下压力,所述下层金属直接敷接陶瓷电路板和上层金属直接敷接陶瓷电路板的金属层部分延伸至陶瓷基板外构成外接端子。