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低压CMOS器件的制作方法
申请人信息
- 申请人:上海先进半导体制造有限公司
- 申请人地址:200233 上海市徐汇区虹漕路385号
- 发明人: 上海先进半导体制造有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 低压CMOS器件的制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN201811426432.3 |
| 申请日 | 2018年11月27日 |
| 公告号 | CN111223768B |
| 公开日 | 2024年4月5日 |
| IPC主分类号 | H01L21/266 |
| 权利人 | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 发明人 | 林威; 刘建华; 吴晓丽 |
| 地址 | 上海市徐汇区虹漕路385号 |
摘要文本
本发明公开了一种低压CMOS器件的制作方法，包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；在半导体基片上制作STI；在衬底区的上表面制作闸极；在半导体基片的上表面设置光胶，以形成透射区和阻挡区，透射区与低压阱的位置相对应；低能量注入第一掺杂离子，以在衬底区形成表面超导层；大角度注入第二掺杂离子，以在衬底区形成低压LDD晕环；高能量注入第二掺杂离子，使第二掺杂离子穿透闸极和STI，以在衬底区形成低压阱。本发明采用Halo注入结合高能注入，使用同一光罩实现低压阱和LDD晕环的制作，减少了光罩的数量，节省了成本。
专利主权项内容
1.一种低压CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；在所述半导体基片上制作STI；在所述衬底区的上表面制作闸极；在所述半导体基片的上表面设置光胶，以形成透射区和阻挡区，所述透射区与低压阱的位置相对应；低能量注入第一掺杂离子，以在所述衬底区形成表面超导层；大角度注入第二掺杂离子，以在所述衬底区形成低压LDD晕环；高能量注入所述第二掺杂离子，使所述第二掺杂离子穿透所述闸极和所述STI，以在所述衬底区形成所述低压阱；其中，所述光胶的厚度与所述低压阱的深度相适应。。来自马-克-数-据