本发明属于纳米晶薄膜制备领域，并具体公开了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品。
该方法包括下列步骤：(a)制备纳米晶薄膜，将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中，加热；(b)向反应腔体内通入气态硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定；(c)向反应腔内通入氧气等离子体，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，以此生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到预设厚度值。
通过本发明，解决纳米晶易受水氧侵蚀，致使其丧失发光性能的问题，具备便于操控、适应性强、成本低和适于大批量生产等优点。

陈蓉 井尧 曹坤 周彬泽 姜晨晨 耿士才 刘梦佳

华中科技大学

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

本发明属于纳米晶薄膜制备领域，并具体公开了一种基于等离子体原子层沉积的包覆纳米晶薄膜的方法及产品。
该方法包括下列步骤：(a)制备纳米晶薄膜，将获得的纳米晶薄膜置于原子层沉积装置的反应腔体中，加热；(b)向反应腔体内通入气态硅烷与纳米晶薄膜反应，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定；(c)向反应腔内通入氧气等离子体，反应过程中不断通入载气以保持反应腔内的气压恒定，以此生成氧化硅，该氧化硅包覆在纳米晶薄膜的表面；(d)重复步骤(b)～(c),直至氧化硅的厚度达到预设厚度值。
通过本发明，解决纳米晶易受水氧侵蚀，致使其丧失发光性能的问题，具备便于操控、适应性强、成本低和适于大批量生产等优点。