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专利摘要

本发明提供一种融合低速翼型的冯卡门乘波体设计方法,其乘波体下表面采用基于绕尖头冯卡门曲线回转体基准流场进行设计,得到冯卡门乘波面,乘波体上表面采用低速翼型上型线进行设计,得到融合低速翼型的上表面。
在相同的亚声速来流条件下,具有融合低速翼型上表面的冯卡门乘波体相较于具有自由流上表面的冯卡门乘波体,前者的上表面负压区压力比后者的更小,与此同时,两者下表面压力基本相同,从而使得前者的上、下表面压力差大于后者的,进而使得前者的“升阻比”比后者的更大,即前者比后者具有更优良的低速升阻比性能。
本发明提高了冯卡门乘波体低速升阻比性能,更有利于该类乘波体应用于宽速域飞行器设计。

专利状态

基础信息

专利号
CN201811233185.5
申请日
2018-10-23
公开日
2020-06-30
公开号
CN109279043B
主分类号
/B/B64/ 作业;运输
标准类别
飞行器;航空;宇宙航行
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

丁峰 柳军 刘珍 吴世超 陈韶华 张文浩

申请人

中国人民解放军国防科技大学

申请人地址

410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号

专利摘要

本发明提供一种融合低速翼型的冯卡门乘波体设计方法,其乘波体下表面采用基于绕尖头冯卡门曲线回转体基准流场进行设计,得到冯卡门乘波面,乘波体上表面采用低速翼型上型线进行设计,得到融合低速翼型的上表面。
在相同的亚声速来流条件下,具有融合低速翼型上表面的冯卡门乘波体相较于具有自由流上表面的冯卡门乘波体,前者的上表面负压区压力比后者的更小,与此同时,两者下表面压力基本相同,从而使得前者的上、下表面压力差大于后者的,进而使得前者的“升阻比”比后者的更大,即前者比后者具有更优良的低速升阻比性能。
本发明提高了冯卡门乘波体低速升阻比性能,更有利于该类乘波体应用于宽速域飞行器设计。

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