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专利摘要

本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。
所述MEMS器件包括:振动膜;背板,位于所述振动膜的上方;空腔,位于所述振动膜和所述背板之间;牺牲层,位于所述振动膜和所述背板之间并且位于所述空腔的外侧;其中,所述牺牲层呈锥体,所述锥体中靠近所述空腔并且与所述背板相接触的一端的顶角缺失。
本发明所述结构避免了在空气压力测试(Air Pressure Test,APT)中所述背板发生碎裂的问题。
本发明所述方法没有增加光罩,没有增加成本,提高了MEMS器件的性能和良率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201711037349.2
申请日
2017-10-30
公开日
2021-02-02
公开号
CN109721021B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

王强

申请人

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址

201203 上海市浦东新区张江路18号

专利摘要

本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。
所述MEMS器件包括:振动膜;背板,位于所述振动膜的上方;空腔,位于所述振动膜和所述背板之间;牺牲层,位于所述振动膜和所述背板之间并且位于所述空腔的外侧;其中,所述牺牲层呈锥体,所述锥体中靠近所述空腔并且与所述背板相接触的一端的顶角缺失。
本发明所述结构避免了在空气压力测试(Air Pressure Test,APT)中所述背板发生碎裂的问题。
本发明所述方法没有增加光罩,没有增加成本,提高了MEMS器件的性能和良率。

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