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专利摘要

本发明提出一种MEMS电容式流量传感器,包括:衬底;绝缘层,所述绝缘层设置在所述衬底上;第一电极、第二电极,所述第一电极、第二电极间隔设置在所述绝缘层上;微流道,所述微流道设置在所述绝缘层上;其中,所述微流道包括弧形的底壁,所述底壁包括第一介质层、第二介质层,以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极;所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。
本发明的传感器具有高线性度、高灵敏度的优点;且可采用MEMS加工工艺进行高精度、高一致性、低成本、批量化和微型化的制备。

专利状态

基础信息

专利号
CN202110289533.6
申请日
2021-03-18
公开日
2021-06-01
公开号
CN112683348B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

李维平 兰之康

申请人

南京高华科技股份有限公司

申请人地址

210049 江苏省南京市经济开发区栖霞大道66号

专利摘要

本发明提出一种MEMS电容式流量传感器,包括:衬底;绝缘层,所述绝缘层设置在所述衬底上;第一电极、第二电极,所述第一电极、第二电极间隔设置在所述绝缘层上;微流道,所述微流道设置在所述绝缘层上;其中,所述微流道包括弧形的底壁,所述底壁包括第一介质层、第二介质层,以及夹设在所述第一介质层、所述第二介质层之间的第三电极;所述第三电极分别与所述第一电极、第二电极构成所述MEMS电容式流量传感器的第一敏感电容、第二敏感电容。
本发明的传感器具有高线性度、高灵敏度的优点;且可采用MEMS加工工艺进行高精度、高一致性、低成本、批量化和微型化的制备。

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