本发明涉及带有扩展浅多边形腔的带腔绝缘体上硅MEMS压力传感装置。
改进的微机电系统（MEMS）压力传感装置在硅支撑衬底的顶侧上具有扩展的浅多边形腔。
二氧化硅埋层被形成在支撑衬底的顶侧与装置层的底侧之间。
压电电阻器和结合片被形成并定位在装置层的顶侧上，并且响应对装置层施加的流体压力产生可测量的电压变化。
扩展的浅多边形腔的目的在于在缩小MEMS压力传感装置芯片的芯片尺寸的时候改进灵敏度或增加量程、同时保持低的压力非线性，角部金属结合片具有排除距离以防止引线接合器弄坏薄膜。

J-H.A.邱 S-H.S.陈

大陆汽车系统公司

美国密执安州

本发明涉及带有扩展浅多边形腔的带腔绝缘体上硅MEMS压力传感装置。
改进的微机电系统（MEMS）压力传感装置在硅支撑衬底的顶侧上具有扩展的浅多边形腔。
二氧化硅埋层被形成在支撑衬底的顶侧与装置层的底侧之间。
压电电阻器和结合片被形成并定位在装置层的顶侧上，并且响应对装置层施加的流体压力产生可测量的电压变化。
扩展的浅多边形腔的目的在于在缩小MEMS压力传感装置芯片的芯片尺寸的时候改进灵敏度或增加量程、同时保持低的压力非线性，角部金属结合片具有排除距离以防止引线接合器弄坏薄膜。