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专利摘要

本发明提供了一种可重构驱动电压RF MEMS开关及其制造方法,包括:基底;CPW结构,位于所述基底上;悬臂梁结构,设置在所述CPW结构上;驱动电极,设置在所述基底上,位于所述悬臂梁结构的悬臂梁的下方;以及充电结构,包括充电介质层以及压焊块,所述充电介质层设置在所述驱动电极上,所述充电介质层位于所述悬臂梁的下方;所述压焊块通过金属连接线与所述驱动电极连接。
本发明的一种可重构驱动电压RF MEMS开关,通过增加充电介质层(隧穿层/陷阱层/阻挡层)能够捕获并存储电荷,对充电介质层进行“充电”可使其形成“附加电源”,从而在不改变开关原有结构参数的条件下实现RF MEMS开关的驱动电压的降低。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010511487.5
申请日
2020-06-08
公开日
2021-01-05
公开号
CN111584310B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

黄晓东 郑从兵 张志强 韩磊

申请人

东南大学

申请人地址

210096 江苏省南京市玄武区四牌楼2号

专利摘要

本发明提供了一种可重构驱动电压RF MEMS开关及其制造方法,包括:基底;CPW结构,位于所述基底上;悬臂梁结构,设置在所述CPW结构上;驱动电极,设置在所述基底上,位于所述悬臂梁结构的悬臂梁的下方;以及充电结构,包括充电介质层以及压焊块,所述充电介质层设置在所述驱动电极上,所述充电介质层位于所述悬臂梁的下方;所述压焊块通过金属连接线与所述驱动电极连接。
本发明的一种可重构驱动电压RF MEMS开关,通过增加充电介质层(隧穿层/陷阱层/阻挡层)能够捕获并存储电荷,对充电介质层进行“充电”可使其形成“附加电源”,从而在不改变开关原有结构参数的条件下实现RF MEMS开关的驱动电压的降低。

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