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专利摘要

本发明公开了一种可减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性的栅结构,所述的栅结构的两个侧面与靠近金属电极的底面形成的夹角小于90°。
本发明通过对微机械陀螺仪中的栅结构形状进行改进,将栅结构的两个垂直侧面优化为与底面形成夹角,可有效减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010969373.5
申请日
2020-09-15
公开日
2020-12-25
公开号
CN112129278A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

郑旭东 王雪同 吴海斌 金仲和

申请人

浙江大学

申请人地址

310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号

专利摘要

本发明公开了一种可减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性的栅结构,所述的栅结构的两个侧面与靠近金属电极的底面形成的夹角小于90°。
本发明通过对微机械陀螺仪中的栅结构形状进行改进,将栅结构的两个垂直侧面优化为与底面形成夹角,可有效减小由电容边缘效应导致的电容‑位移之间的非线性。

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