本发明公开了一种乙烯基硅\锗\锡烷衍生物的制备方法，包括如下步骤：(1)向经氮气吹扫的反应容器中依次加入碱、钯催化剂、配体、烯烃、卤代芳烃、六甲基二硅(六甲基二锗或六丁基二锡)和有机溶剂，于40～120℃反应6～24h；(2)将步骤(1)所得的物料经乙酸乙酯稀释后，再经水洗，分离得有机相；(3)将步骤(2)所得的有机相经干燥、过滤、浓缩和柱层析色谱，得到所述乙烯基硅\锗\锡烷衍生物。
本发明可以同时得到芳基Csp

程国林 吕薇薇

华侨大学

362000 福建省泉州市丰泽区城东城华北路269号

本发明公开了一种乙烯基硅\锗\锡烷衍生物的制备方法，包括如下步骤：(1)向经氮气吹扫的反应容器中依次加入碱、钯催化剂、配体、烯烃、卤代芳烃、六甲基二硅(六甲基二锗或六丁基二锡)和有机溶剂，于40～120℃反应6～24h；(2)将步骤(1)所得的物料经乙酸乙酯稀释后，再经水洗，分离得有机相；(3)将步骤(2)所得的有机相经干燥、过滤、浓缩和柱层析色谱，得到所述乙烯基硅\锗\锡烷衍生物。
本发明可以同时得到芳基Csp